Chuyên Mục

​Những công nghệ mới nhất bạn cần biết

TTO - Nhiều ứng dụng công nghệ vừa được công bố, từ mạng 4G cho điện thoại di động giá rẻ cho đến ổ cứng SSD 375GB dùng như RAM...

* Điện thoại thông minh giá rẻ cũng có thể dùng mạng di động băng rộng 4G.

Đó là kết quả từ nghiên cứu của Hãng Qualcomm công bố trong sự kiện ở Ấn Độ ngày 20-3, cho biết nền tảng Qualcomm 205 hướng tới việc đưa các dịch vụ và kết nối mạng 4G LTE vào điện thoại thông minh (smartphone) giá rẻ ở các thị trường đang phát triển khư vực Đông Nam Á, châu Mỹ Latinh và thị trường Ấn Độ.

Nền tảng di động Qualcomm 205 kết hợp với dòng chip xử lý SoC Qualcomm 205, gồm các chức năng cơ bản, các thành phần phần cứng như RF đầu cuối, công cụ quản lý năng lượng... Nó có một loa khuếch đại, kết nối Wi-Fi và phần mềm cung cấp giải pháp di động toàn diện.

Nền tảng này hướng tới những smartphone giá rẻ có cấu hình cấp thấp, chip xử lý tốc độ xung nhịp 1,1GHz, chip xử lý đồ hoạ Adreno 304, độ phân giải màn hình chỉ ở mức VGA 480p, camera 3MP. Hiện nay các smartphone có cấu hình tương tự có giá bán trung bình dưới hai triệu đồng.

Nền tảng Di động Qualcomm 205 (Qualcomm 205 Mobile Platform) hứa hẹn đem đến khả năng kết nối mạng 4G, 3G, 2G với tốc độ tải (download) lên đến 150Mbps150Mbps, hỗ trợ 2 SIM.

Qualcomm 205 là thay đổi lớn của Hãng kể từ dòng Snapdragon 200 ra mắt tháng 7-2015, cho thấy Qualcomm đang trở lại với chip xử lý cấp thấp cho smartphone bình dân, đây là phân khúc đang chiếm lĩnh bởi MediaTek (MTK).

* Ổ cứng thể rắn SSD 375GB có thể dùng như bộ nhớ RAM.

Hãng Intel chính thức công bố đại diện đầu tiên trong dòng sản phẩm mang thương hiệu Optane ngày 19-3, ổ cứng thể rắn (SSD) dạng thẻ PCIe dung lượng 375GB mang tên Intel Optane SSD DC P4800X.

Điều đặc biệt ở sản phẩm này là nó sử dụng bộ nhớ 3D Xpoint, một dạng bộ nhớ trạng thái rắn được phát triển và cải tiến liên tục bởi Intel và Micron. Khi giới thiệu lần đầu vào năm 2015, Intel cho biết nó có thể đạt tốc độ nhanh hơn và bền hơn 1.000 lần so với dạng flash nhớ NAND, mật độ dày đặc hơn DRAM 10 lần.

Số liệu kỹ thuật về Intel Optane SSD DC P4800X - Nguồn: Arstechnica
Số liệu kỹ thuật về Intel Optane SSD DC P4800X - Nguồn: Arstechnica

Độ trễ thấp và độ bền cao giúp Optane phù hợp với các ứng dụng như bộ nhớ đệm và các máy chủ cơ sở dữ liệu. Theo đó, Intel phát triển một cách mới để tận dụng Optane như là bộ nhớ RAM khi kết hợp với một chipset và bộ vi xử lý Xeon. Đó là nhờ công nghệ Memory Drive Technology do Intel phát triển.

Tuy độ trễ và băng thông thấp hơn DRAM nhưng mật độ cao hơn và giá thấp hơn đáng kể. Như trường hợp tăng một lượng lớn bộ nhớ máy chủ, như các hệ thống Xeon 2 socketsocket có thể chứa đến 3TB RAMRAM, nhưng 24TB của Optane kết hợp với hệ thống Xeon 4 socket có thể hỗ trợ lên đến 12TB RAM. Một bước gia tăng rất lớn về bộ nhớ cho các ứng dụng yêu cầu bộ nhớ khổng lồ.

Các phiên bản dung lượng 750 GB và dạng thẻ U.2 1,5TB của Optane sẽ ra mắt cuối năm 2017.

THANH TRỰC

Bình Luận

Vui lòng nhập nội dung bình luận.

Gửi
Top